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• 应用手册
  • AN_01-GaN HEMT 芯片封装指南(V03)
  • AN_05-GaNHEMT 热特性使用指南(V04)
  • AN_11-GaN HEMT 管芯自吸式Tray包装拆卸及管芯取用操作指南(V02)
  • AN_12-GaN HEMT 管芯非自吸式Tray包装拆卸及管芯取用操作指南(V02)
  • AN_15 GaN HEMT 管芯选型指南(V01)

D2H025DB1是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率、高增益
、易于匹配
、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。

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  • AN_15 GaN HEMT 管芯选型指南(V01)

D2H025DA1是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）
，具有高效率、高增益
、易于匹配、宽带宽等特点，是各种射频和微波应用的理想选择。

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D2H014DA1是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），具有高效率

、高增益

、易于匹配、宽带宽等特点
，是各种射频和微波应用的理想选择

。

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D2H010DA1是一款碳化硅（SiC）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）
，具有高效率、高增益、易于匹配、宽带宽等特点

，是各种射频和微波应用的理想选择。